מספר מוצר של יצרן:
TSM60NB600CH C5G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM60NB600CH C5G-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
מלאי:
12898747
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM60NB600CH C5G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
516 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251 (IPAK)
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
TSM60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM60NB600CHC5G
TSM60NB600CH C5G-DG
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TSM60NB600CH
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
TSM60NB600CH-DG
מחיר ליחידה
1.43
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IPS80R600P7AKMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPS80R600P7AKMA1-DG
מחיר ליחידה
0.69
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BS107PSTOA
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
TSM60NB260CI C0G
MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB
TSM7N65ACI C0G
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB
